Fully Asymmetric Diffraction Geometry of a Bent Perfect Crystal Silicon Analyzer for High-Resolution TOF Spectrometry.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389005%3A_____%2F03%3A49033119" target="_blank" >RIV/61389005:_____/03:49033119 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Fully Asymmetric Diffraction Geometry of a Bent Perfect Crystal Silicon Analyzer for High-Resolution TOF Spectrometry.

Popis výsledku v původním jazyce

Silicon bent perfect crystal in fully asymmetric diffraction (FAD) geometry in combination with a linear position sinsitive detector can be effectively used for high-resolution analysis of a beam scattered by a sample. The first results of the TOF testsof lambda-scanning carried out with the FAD analyzer in combination with position sensitive detector are presented. The experimental test has proved that the analysis can be done with the accuracy delta k/k=10(-4) idependently of the pulse width, however, in the range of DELTA lambda/lambda of about 10-2. The first obtained experimental results indicate that the FAD geometry of the bent Si-slab in combination with 1d-PSD could be a good candidate for a high-resolution analyzer at some of the TOF instruments.

Název v anglickém jazyce

Fully Asymmetric Diffraction Geometry of a Bent Perfect Crystal Silicon Analyzer for High-Resolution TOF Spectrometry.

Popis výsledku anglicky

Silicon bent perfect crystal in fully asymmetric diffraction (FAD) geometry in combination with a linear position sinsitive detector can be effectively used for high-resolution analysis of a beam scattered by a sample. The first results of the TOF testsof lambda-scanning carried out with the FAD analyzer in combination with position sensitive detector are presented. The experimental test has proved that the analysis can be done with the accuracy delta k/k=10(-4) idependently of the pulse width, however, in the range of DELTA lambda/lambda of about 10-2. The first obtained experimental results indicate that the FAD geometry of the bent Si-slab in combination with 1d-PSD could be a good candidate for a high-resolution analyzer at some of the TOF instruments.

Druh

B - Odborná kniha

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

ISBN

—

Počet stran knihy

5

Název nakladatele

Forschungszentrum Julich GmbH

Místo vydání

Julich

Kód UT WoS knihy

—