Characterisation of defects in ZnO implanted by hydrogen
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389005%3A_____%2F15%3A00471772" target="_blank" >RIV/61389005:_____/15:00471772 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/15:00471772
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/DDF.365.49" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/DDF.365.49</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/DDF.365.49" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/DDF.365.49</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Characterisation of defects in ZnO implanted by hydrogen
Popis výsledku v původním jazyce
In the present work, defects created by implantation of hydrothermally grown ZnO single crystals of high quality with H+ ions were investigated by positron annihilation lifetime (LT) spectroscopy combined with measurements of optical transmittance (OT) and photoluminescence (PL). First, zinc vacancies attached with one hydrogen impurity (VZn - 1H) atom were identified in the virgin ZnO single crystal. The ZnO single crystals were then bombarded by H+ ions with the energy of 2.5 MeV to the fluence of 1016 cm-2. It was found that VZn - VO divacancies were introduced into ZnO by H+-implantation. Effects of H+-implantation on the optical activity of defects in ZnO lattice are characterised in the light of the present OT and PL data.
Název v anglickém jazyce
Characterisation of defects in ZnO implanted by hydrogen
Popis výsledku anglicky
In the present work, defects created by implantation of hydrothermally grown ZnO single crystals of high quality with H+ ions were investigated by positron annihilation lifetime (LT) spectroscopy combined with measurements of optical transmittance (OT) and photoluminescence (PL). First, zinc vacancies attached with one hydrogen impurity (VZn - 1H) atom were identified in the virgin ZnO single crystal. The ZnO single crystals were then bombarded by H+ ions with the energy of 2.5 MeV to the fluence of 1016 cm-2. It was found that VZn - VO divacancies were introduced into ZnO by H+-implantation. Effects of H+-implantation on the optical activity of defects in ZnO lattice are characterised in the light of the present OT and PL data.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Defect and Diffusion Forum
ISBN
978-303835516-8
ISSN
1012-0386
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
49-54
Název nakladatele
Trans Tech Publications
Místo vydání
Zürich
Místo konání akce
Paris
Datum konání akce
23. 6. 2014
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—