Hole transport in organic field-effect transistors with active poly(3-hexylthiophene) layer containing CdSe quantum dots
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389013%3A_____%2F13%3A00392068" target="_blank" >RIV/61389013:_____/13:00392068 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.2478/s13536-013-0101-0" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.2478/s13536-013-0101-0</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.2478/s13536-013-0101-0" target="_blank" >10.2478/s13536-013-0101-0</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Hole transport in organic field-effect transistors with active poly(3-hexylthiophene) layer containing CdSe quantum dots
Popis výsledku v původním jazyce
Hybrid field-effect transistors (FETs) based on poly(3-hexylthiophene) (P3HT) containing CdSe quantum dots (QDs) were fabricated. The effect of the concentration of QDs on charge transport in the hybrid material was studied. The influence of the QDs capping ligand on charge transport parameters was investigated by replacing the conventional trioctylphosphine oxide (TOPO) surfactant with pyridine to provide closer contact between the organic and inorganic components. Electrical parameters of FETs with anactive layer made of P3HT:CdSe QDs blend were determined, showing field-effect hole mobilities up to 1.1104 cm2/Vs. Incorporation of TOPO covered CdSe QDs decreased the charge carrier mobility while the pyridine covered CdSe QDs did not alter this transport parameter significantly.
Název v anglickém jazyce
Hole transport in organic field-effect transistors with active poly(3-hexylthiophene) layer containing CdSe quantum dots
Popis výsledku anglicky
Hybrid field-effect transistors (FETs) based on poly(3-hexylthiophene) (P3HT) containing CdSe quantum dots (QDs) were fabricated. The effect of the concentration of QDs on charge transport in the hybrid material was studied. The influence of the QDs capping ligand on charge transport parameters was investigated by replacing the conventional trioctylphosphine oxide (TOPO) surfactant with pyridine to provide closer contact between the organic and inorganic components. Electrical parameters of FETs with anactive layer made of P3HT:CdSe QDs blend were determined, showing field-effect hole mobilities up to 1.1104 cm2/Vs. Incorporation of TOPO covered CdSe QDs decreased the charge carrier mobility while the pyridine covered CdSe QDs did not alter this transport parameter significantly.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CD - Makromolekulární chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Materials Science-Poland
ISSN
2083-1331
e-ISSN
—
Svazek periodika
31
Číslo periodika v rámci svazku
2
Stát vydavatele periodika
PL - Polská republika
Počet stran výsledku
10
Strana od-do
288-297
Kód UT WoS článku
000317956100020
EID výsledku v databázi Scopus
—