Synthesis, structure and optical properties of thin films form GeS2-In2S3 system deposited by thermal co-evaporation

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389013%3A_____%2F14%3A00431153" target="_blank" >RIV/61389013:_____/14:00431153 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2014.02.059" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2014.02.059</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2014.02.059" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2014.02.059</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Synthesis, structure and optical properties of thin films form GeS2-In2S3 system deposited by thermal co-evaporation

Popis výsledku v původním jazyce

This paper deals with the properties of the thin films from GeS2 - In2S3 system deposited by thermal co-evaporation of GeS2 and In2S3. The refractive index, n and the optical band gap, Egopt were calculated from the transmittance and reflectance spectra.The far-infrared spectra indicated that the indium participates in the glass network of the layers from Ge - S - In system in four coordinated InS4/2- tetrahedral and six-coordinated InS6/23- octahedral units. The changes in infrared spectra after annealing of the thin films evidence an increase of population of ethane-like S3Ge-GeS3 units and/or structural transformations InS4- InS63+.

Název v anglickém jazyce

Synthesis, structure and optical properties of thin films form GeS2-In2S3 system deposited by thermal co-evaporation

Popis výsledku anglicky

This paper deals with the properties of the thin films from GeS2 - In2S3 system deposited by thermal co-evaporation of GeS2 and In2S3. The refractive index, n and the optical band gap, Egopt were calculated from the transmittance and reflectance spectra.The far-infrared spectra indicated that the indium participates in the glass network of the layers from Ge - S - In system in four coordinated InS4/2- tetrahedral and six-coordinated InS6/23- octahedral units. The changes in infrared spectra after annealing of the thin films evidence an increase of population of ethane-like S3Ge-GeS3 units and/or structural transformations InS4- InS63+.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

558

Číslo periodika v rámci svazku

2 May

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

298-305

Kód UT WoS článku

000334314100046

EID výsledku v databázi Scopus

—