Electronic and Optical Properties of III-V Binary 2D Semiconductors: How to Achieve High Precision from Accurate Many-Body Methods

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61988987%3A17310%2F22%3AA2302CBV" target="_blank" >RIV/61988987:17310/22:A2302CBV - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1039/D2CP04432C" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1039/D2CP04432C</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1039/D2CP04432C" target="_blank" >10.1039/D2CP04432C</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electronic and Optical Properties of III-V Binary 2D Semiconductors: How to Achieve High Precision from Accurate Many-Body Methods

Popis výsledku v původním jazyce

Seven hexagonal 2D materials consisting of elements of the IIIA and VA group (BN, BP, BA, AlN, GaN, GaP, and GaAs) were theoretically studied using first-principles methods. Simultaneous convergence in all principal parameters of the accurate many-body perturbational GW approach and the subsequent Bethe-Salpeter equation (BSE) was necessary to achieve precise fundamental and optical gaps, exciton binding energies, and absorbance spectra. Various convergence rates of studied properties in the case of different materials were visualized and explained. Benchmark calculations show several 2D materials from this set that strongly absorb in the visible and ultraviolet parts of the spectra, and therefore can be promising materials for (opto)electronic applications.

Název v anglickém jazyce

Electronic and Optical Properties of III-V Binary 2D Semiconductors: How to Achieve High Precision from Accurate Many-Body Methods

Popis výsledku anglicky

Seven hexagonal 2D materials consisting of elements of the IIIA and VA group (BN, BP, BA, AlN, GaN, GaP, and GaAs) were theoretically studied using first-principles methods. Simultaneous convergence in all principal parameters of the accurate many-body perturbational GW approach and the subsequent Bethe-Salpeter equation (BSE) was necessary to achieve precise fundamental and optical gaps, exciton binding energies, and absorbance spectra. Various convergence rates of studied properties in the case of different materials were visualized and explained. Benchmark calculations show several 2D materials from this set that strongly absorb in the visible and ultraviolet parts of the spectra, and therefore can be promising materials for (opto)electronic applications.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/GA18-25128S" target="_blank" >GA18-25128S: Výpočetní materiálové inženýrství dvojdimenzionálních krystalů a van der Waalsových heterostruktur</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2022

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

PHYS CHEM CHEM PHYS

ISSN

1463-9076

e-ISSN

1463-9084

Svazek periodika

—

Číslo periodika v rámci svazku

44

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

27459-27466

Kód UT WoS článku

000880673500001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85142270827