Simulation of surface plasmon fiber-optic sensor including the effect of oxide overlayer thickness change
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27350%2F12%3A86083765" target="_blank" >RIV/61989100:27350/12:86083765 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.922513" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.922513</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.922513" target="_blank" >10.1117/12.922513</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Simulation of surface plasmon fiber-optic sensor including the effect of oxide overlayer thickness change
Popis výsledku v původním jazyce
A theoretical model of surface plasmon resonance (SPR) fiber-optic sensor based on the theory of attenuated total internal reflection is presented. The analysis of the sensor response is carried out in frame of optics of multilayered media. Some of the studied SPR sensors use the oxide or semiconductor overlayer for the protection of the metallic layer generating the surface plasmon wave. In the same time, the overlayer can help to improve the sensitivity of the sensor. The semiconductor overlayer protects the metal against the oxidation, but a native oxide layer can be formed on its top surface, when exposed to the atmosphere. This effect has been scarcely addressed, even if it can have an influence on the functionality of the sensor.
Název v anglickém jazyce
Simulation of surface plasmon fiber-optic sensor including the effect of oxide overlayer thickness change
Popis výsledku anglicky
A theoretical model of surface plasmon resonance (SPR) fiber-optic sensor based on the theory of attenuated total internal reflection is presented. The analysis of the sensor response is carried out in frame of optics of multilayered media. Some of the studied SPR sensors use the oxide or semiconductor overlayer for the protection of the metallic layer generating the surface plasmon wave. In the same time, the overlayer can help to improve the sensitivity of the sensor. The semiconductor overlayer protects the metal against the oxidation, but a native oxide layer can be formed on its top surface, when exposed to the atmosphere. This effect has been scarcely addressed, even if it can have an influence on the functionality of the sensor.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of SPIE. Volume 8439
ISBN
978-0-8194-9131-2
ISSN
0277-786X
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
11
Strana od-do
843927
Název nakladatele
SPIE
Místo vydání
Bellingham
Místo konání akce
Brusel
Datum konání akce
16. 4. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000305390100064