Experimental demonstration of magnetoplasmon polariton at InSb(InAs)/dielectric interface for terahertz sensor application

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27640%2F17%3A10236990" target="_blank" >RIV/61989100:27640/17:10236990 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61989100:27740/17:10236990

Výsledek na webu

<a href="https://www.nature.com/articles/s41598-017-13394-0.pdf" target="_blank" >https://www.nature.com/articles/s41598-017-13394-0.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-13394-0" target="_blank" >10.1038/s41598-017-13394-0</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Experimental demonstration of magnetoplasmon polariton at InSb(InAs)/dielectric interface for terahertz sensor application

Popis výsledku v původním jazyce

We experimentally demonstrate surface plasmon resonance (SPR) in the terahertz range in InSb and InAs. The surface plasmon is excited on the interface between a thin polymer film and the semiconductor using a silicon prism in Otto configuration. The low effective mass of InSb and InAs permits tuning of the SPR by an external magnetic field in the transversal configuration. The data show a good agreement with a model. Strong excitation of the surface plasmon is present in both materials, with a shifting of resonance position by more than 100 GHz for the field of 0.25 T, to both higher and lower energies with opposite orientation of the magnetic field. Applicability of the terahertz SPR sensor is discussed, along with modeled design for the Kretschmann configuration.

Název v anglickém jazyce

Experimental demonstration of magnetoplasmon polariton at InSb(InAs)/dielectric interface for terahertz sensor application

Popis výsledku anglicky

We experimentally demonstrate surface plasmon resonance (SPR) in the terahertz range in InSb and InAs. The surface plasmon is excited on the interface between a thin polymer film and the semiconductor using a silicon prism in Otto configuration. The low effective mass of InSb and InAs permits tuning of the SPR by an external magnetic field in the transversal configuration. The data show a good agreement with a model. Strong excitation of the surface plasmon is present in both materials, with a shifting of resonance position by more than 100 GHz for the field of 0.25 T, to both higher and lower energies with opposite orientation of the magnetic field. Applicability of the terahertz SPR sensor is discussed, along with modeled design for the Kretschmann configuration.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Scientific Reports

ISSN

2045-2322

e-ISSN

—

Svazek periodika

7

Číslo periodika v rámci svazku

13 October 2017

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000412956900007

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85031677015