The study of SiC samples (batch 2)

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989592%3A15310%2F24%3A73627767" target="_blank" >RIV/61989592:15310/24:73627767 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://obd.upol.cz/id_publ/333207654" target="_blank" >https://obd.upol.cz/id_publ/333207654</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The study of SiC samples (batch 2)
Popis výsledku v původním jazyce
The report summarizes the measurements of a given set of SiC samples (provided by Onsemi). Samples was detailed evaluation of mechanical properties was performed using micro and nano-indentation technique. Tribological resistance was evaluated using scratch test including the study of deformed contact surfaces. To better determine the dynamics of deformation and or fracture events in the samples, acoustic emissions were simultaneously recorded during tests.
Název v anglickém jazyce
The study of SiC samples (batch 2)
Popis výsledku anglicky
The report summarizes the measurements of a given set of SiC samples (provided by Onsemi). Samples was detailed evaluation of mechanical properties was performed using micro and nano-indentation technique. Tribological resistance was evaluated using scratch test including the study of deformed contact surfaces. To better determine the dynamics of deformation and or fracture events in the samples, acoustic emissions were simultaneously recorded during tests.

Rok uplatnění
2024
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Počet stran výsledku
30
Místo vydání
—
Název nakladatele resp. objednatele
ON Semiconductor CZ, s.r.o., Rožnov pod Radhoštěm
Verze
—

Podobné výsledky(10)