Metoda produkce prvků chalkogenů pomocí elektromagnetických vln

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985858%3A_____%2F04%3A00105038" target="_blank" >RIV/67985858:_____/04:00105038 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Method for Producing Chalcogenide Element with Electromagnetics Wave
Popis výsledku v původním jazyce
Generation of chalcogenide elements (Se, Te) has been achieved by application of electromagnetic wave radiation (laser radiation) to organoselenium and organotellurium compounds Ar1XR1, Ar2XR2XAr3, Ar4X(R3Ar5X)a(Ar6XR4)bR5, Ar7X(R6XAr8X)cR7 and the deposition of chalcogenide elements took place via photolysis of arylalkylchalcogenides in the liquid and gaseous phase. The sources of electromagnetic radiation are UV-VIS and IR radiation sources including lasers.
Název v anglickém jazyce
Method for Producing Chalcogenide Element with Electromagnetics Wave
Popis výsledku anglicky
Generation of chalcogenide elements (Se, Te) has been achieved by application of electromagnetic wave radiation (laser radiation) to organoselenium and organotellurium compounds Ar1XR1, Ar2XR2XAr3, Ar4X(R3Ar5X)a(Ar6XR4)bR5, Ar7X(R6XAr8X)cR7 and the deposition of chalcogenide elements took place via photolysis of arylalkylchalcogenides in the liquid and gaseous phase. The sources of electromagnetic radiation are UV-VIS and IR radiation sources including lasers.

Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru
JP 2002-56926
Vydavatel
—
Název vydavatele
—
Místo vydání
—
Stát vydání
—
Datum přijetí
10. 9. 2003
Název vlastníka
Ústav chemických procesů AV ČR
Způsob využití
—
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Podobné výsledky(10)