Technolgy of materials preparation for the high sensitivity infrared detectors.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F01%3A13010049" target="_blank" >RIV/67985882:_____/01:13010049 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Technolgy of materials preparation for the high sensitivity infrared detectors.

Popis výsledku v původním jazyce

Single crystals of triglycine sulphate (TGS) doped with L-alanin, lysin and with Co 2+ , Cd 2+ and PO 4 3- were grown from aqueous solutions by means of slow cooling method. Concentration of doping elements varied from 5 to 20mol. per cent. Morphology, domain structure and P-E hysteresis loops have been investigated. TGS single crystals doped with Co 2+ and PO 4 3- show the inernal fields as high as 217 kV/m with peculiarities in the hysteresis loops. The best hysteresis loop has been obtained on TGS crystal doped with Lysin and Cd 2+ ions.

Název v anglickém jazyce

Technolgy of materials preparation for the high sensitivity infrared detectors.

Popis výsledku anglicky

Single crystals of triglycine sulphate (TGS) doped with L-alanin, lysin and with Co 2+ , Cd 2+ and PO 4 3- were grown from aqueous solutions by means of slow cooling method. Concentration of doping elements varied from 5 to 20mol. per cent. Morphology, domain structure and P-E hysteresis loops have been investigated. TGS single crystals doped with Co 2+ and PO 4 3- show the inernal fields as high as 217 kV/m with peculiarities in the hysteresis loops. The best hysteresis loop has been obtained on TGS crystal doped with Lysin and Cd 2+ ions.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2001

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

International Conference Applied Electronics 2001.

ISBN

80-7082-758-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

180-182

Název nakladatele

Západočeská univerzita

Místo vydání

Plzeň

Místo konání akce

Pilsen [CZ]

Datum konání akce

5. 9. 2001

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—