Lasery Al xGa 1-x /GaAs s jednou kvantovou jámou zkoumané transientní spektroskopií hlubokých hladin

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105854" target="_blank" >RIV/67985882:_____/04:00105854 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Deep level transient spectroscopy of AlxGa 1-x As/GaAs single-quantum-well lasers

Popis výsledku v původním jazyce

Deep level transient spectroscopy (DLTS) and capacitance-voltage (C-V) measurements have been made on AlGaAs/GaAs single quantum well (QW) laser diode structures. Si-related DX centres in the n-type AlGaAs layer adjacent to the QW have been observed by DLTS with reverse bias voltage and reduced bias pulse excitation. The DLTS peak of the DX centre is wiped out at zero bias and large injection pulse excitation and a new peak appears which is interpreted as being due to an electron trap inside the QW. Identification of the electron trap has been discussed.

Název v anglickém jazyce

Deep level transient spectroscopy of AlxGa 1-x As/GaAs single-quantum-well lasers

Popis výsledku anglicky

Deep level transient spectroscopy (DLTS) and capacitance-voltage (C-V) measurements have been made on AlGaAs/GaAs single quantum well (QW) laser diode structures. Si-related DX centres in the n-type AlGaAs layer adjacent to the QW have been observed by DLTS with reverse bias voltage and reduced bias pulse excitation. The DLTS peak of the DX centre is wiped out at zero bias and large injection pulse excitation and a new peak appears which is interpreted as being due to an electron trap inside the QW. Identification of the electron trap has been discussed.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Semiconductor Science and Technology

ISSN

0268-1242

e-ISSN

—

Svazek periodika

19

Číslo periodika v rámci svazku

7

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

897-901

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—