Vysoce čistý InP typu p připravený kapalnou epitaxí s příměsí prvků vzácných zemin
Popis výsledku
Osobité vlastnosti oxidů prvků vzácných zemin (PrOx, TbOx, Tm2O3, Gd2O3 a Eu2O3) a Gd byly využity pro zlepšení fyzikálních vlastností InP vrstev připravených kapalnou epitaxí. Getrační efekt vzácných zemin (REs) byl pozorován na všech studovaných vzorcích s rozdílným čistícím efektem jednotlivých REs. Přednostní getrování donorů vede ke změně vodivosti z typu n na p typ pro většinu studovaných REs.
Klíčová slova
liquid phase epitaxyIII-V semiconductorsrare earth compounds
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High purity p-type InP grown by LPE with rare-earth admixtures
Popis výsledku v původním jazyce
Specific features of rare-earth oxides (PrOx, TbOx, Tm2O3, Gd2O3, and Eu2O3) and Gd are employed to improve physical properties of InP LPE layers. The gettering effect of rare-earths (REs) was observed for all studied samples with variable purifying efficiency of individual REs species. The preferential donor gettering leads to conductivity conversion from n- to p-type for majority of the studied REs.
Název v anglickém jazyce
High purity p-type InP grown by LPE with rare-earth admixtures
Popis výsledku anglicky
Specific features of rare-earth oxides (PrOx, TbOx, Tm2O3, Gd2O3, and Eu2O3) and Gd are employed to improve physical properties of InP LPE layers. The gettering effect of rare-earths (REs) was observed for all studied samples with variable purifying efficiency of individual REs species. The preferential donor gettering leads to conductivity conversion from n- to p-type for majority of the studied REs.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
ASDAM'06. Conference Proceedings of the 6th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
ISBN
1-4244-0396-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
157-160
Název nakladatele
Slovak University of Technology in Bratislava
Místo vydání
Bratislava
Místo konání akce
Smolenice
Datum konání akce
16. 10. 2006
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—
Základní informace
Druh výsledku
D - Stať ve sborníku
CEP
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Rok uplatnění
2006