Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Vysoce čistý InP typu p připravený kapalnou epitaxí s příměsí prvků vzácných zemin

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F06%3A00043176" target="_blank" >RIV/67985882:_____/06:00043176 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    High purity p-type InP grown by LPE with rare-earth admixtures

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Specific features of rare-earth oxides (PrOx, TbOx, Tm2O3, Gd2O3, and Eu2O3) and Gd are employed to improve physical properties of InP LPE layers. The gettering effect of rare-earths (REs) was observed for all studied samples with variable purifying efficiency of individual REs species. The preferential donor gettering leads to conductivity conversion from n- to p-type for majority of the studied REs.

  • Název v anglickém jazyce

    High purity p-type InP grown by LPE with rare-earth admixtures

  • Popis výsledku anglicky

    Specific features of rare-earth oxides (PrOx, TbOx, Tm2O3, Gd2O3, and Eu2O3) and Gd are employed to improve physical properties of InP LPE layers. The gettering effect of rare-earths (REs) was observed for all studied samples with variable purifying efficiency of individual REs species. The preferential donor gettering leads to conductivity conversion from n- to p-type for majority of the studied REs.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F06%2F0153" target="_blank" >GA102/06/0153: Využití specifických vlastností vzácných zemin při přípravě detektorových struktur na bázi InP</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    ASDAM'06. Conference Proceedings of the 6th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems

  • ISBN

    1-4244-0396-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    157-160

  • Název nakladatele

    Slovak University of Technology in Bratislava

  • Místo vydání

    Bratislava

  • Místo konání akce

    Smolenice

  • Datum konání akce

    16. 10. 2006

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku