Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Vrstvy kovových nanočástic na polovodičích deponované elektroforézou z roztoku s reversními mecellemi

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F07%3A00087823" target="_blank" >RIV/67985882:_____/07:00087823 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/44555601:13440/07:00004239

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Layers of metal nanoparticles on semiconductors deposited by electrophoresis from solutions with reverse micelles

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Pd nanoparticles were prepared with reverse micelles of water/AOT/isooctane solution and deposited onto silicon or InP substrates by electrophoresis. The deposited Pd nanoparticles were investigated by optical microscopy, SIMS and SEM. Finally, Schottkydiodes with barrier height as high as 1.07 eV were prepared by deposition of Pd nanoparticles on n-type InP and by a partial removal of superfluous AOT. These diodes are prospective structures for further testing as hydrogen sensors.

  • Název v anglickém jazyce

    Layers of metal nanoparticles on semiconductors deposited by electrophoresis from solutions with reverse micelles

  • Popis výsledku anglicky

    Pd nanoparticles were prepared with reverse micelles of water/AOT/isooctane solution and deposited onto silicon or InP substrates by electrophoresis. The deposited Pd nanoparticles were investigated by optical microscopy, SIMS and SEM. Finally, Schottkydiodes with barrier height as high as 1.07 eV were prepared by deposition of Pd nanoparticles on n-type InP and by a partial removal of superfluous AOT. These diodes are prospective structures for further testing as hydrogen sensors.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/KAN400670651" target="_blank" >KAN400670651: Výzkum rozhraní kovových nanočástic s InP pro monitoring nežádoucích látek, plynů a záření v životním prostředí</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2007

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Nanoscale Research Letters

  • ISSN

    1931-7573

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    2

  • Číslo periodika v rámci svazku

    9

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    450-454

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus