Films of Metal Nanoparticles Deposited on Semiconductors by Electrophoresis: Technology and Characterization
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F09%3A00346028" target="_blank" >RIV/67985882:_____/09:00346028 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21340/09:00160268
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Films of Metal Nanoparticles Deposited on Semiconductors by Electrophoresis: Technology and Characterization
Popis výsledku v původním jazyce
Layers of nanoparticles in micelle enclosures were deposited on InP substrates by electrophoresis from isooctane colloid solutions containing Pd or Ag nanoparticles. The layers were investigated by SIMS, low-temperature photoluminescence spectroscopy andtopography, absorption spectroscopy, Raman spectroscopy and sensitivity to hydrogen. Photoluminescence of InP was enhanced by the layers of Pd or Ag nanoparticles. Schottky barriers made on the n-type InP with layers containing Pd nanoparticles showed significant sensitivity to hydrogen in contrast to those containing Ag nanoparticles.
Název v anglickém jazyce
Films of Metal Nanoparticles Deposited on Semiconductors by Electrophoresis: Technology and Characterization
Popis výsledku anglicky
Layers of nanoparticles in micelle enclosures were deposited on InP substrates by electrophoresis from isooctane colloid solutions containing Pd or Ag nanoparticles. The layers were investigated by SIMS, low-temperature photoluminescence spectroscopy andtopography, absorption spectroscopy, Raman spectroscopy and sensitivity to hydrogen. Photoluminescence of InP was enhanced by the layers of Pd or Ag nanoparticles. Schottky barriers made on the n-type InP with layers containing Pd nanoparticles showed significant sensitivity to hydrogen in contrast to those containing Ag nanoparticles.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
NANOCON 2009 Conference Proceedings
ISBN
978-80-87294-13-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
—
Název nakladatele
TANGER
Místo vydání
Ostrava
Místo konání akce
Rožnov pod Radhoštěm
Datum konání akce
20. 10. 2009
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
000277025600025