LOW SUPERSATURATION OVERGROWTH OF NANOPOROUS GaAs SUBSTRATES

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F12%3A00387722" target="_blank" >RIV/67985882:_____/12:00387722 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
LOW SUPERSATURATION OVERGROWTH OF NANOPOROUS GaAs SUBSTRATES
Popis výsledku v původním jazyce
Oriented pore networks in GaAs were created by electrochemical dissolution. Low supersaturation overgrowth of the porous substrates by InxGa1-xAs (x<4%) was realized by Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Název v anglickém jazyce
LOW SUPERSATURATION OVERGROWTH OF NANOPOROUS GaAs SUBSTRATES
Popis výsledku anglicky
Oriented pore networks in GaAs were created by electrochemical dissolution. Low supersaturation overgrowth of the porous substrates by InxGa1-xAs (x<4%) was realized by Liquid Phase Epitaxy (LPE)

Projekt
<a href="/cs/project/GAP108%2F10%2F0253" target="_blank" >GAP108/10/0253: Kompenzace neizoperiodičnosti v heteropřechodech na mikro a nanoporézních polovodičích A3B5 a depozice kovů a polovodičů do mikropórů</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku