Well-aligned ZnO nanorods grown directly on GaN substrates for optoelectronic applications

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F16%3A00469666" target="_blank" >RIV/67985882:_____/16:00469666 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/NEMS.2016.7758226" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/NEMS.2016.7758226</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/NEMS.2016.7758226" target="_blank" >10.1109/NEMS.2016.7758226</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Well-aligned ZnO nanorods grown directly on GaN substrates for optoelectronic applications

Popis výsledku v původním jazyce

We report on the hydrothermal growth of ZnO nanorods directly on GaN templates with a different density of dislocations. The influence of the quality of the GaN substrate on morphological and optical properties of ZnO nanorods is presented. The morphology of the ZnO nanorods was investigated by scanning electron microscopy while the optical properties were studied by low temperature photoluminescence spectroscopy. To control the position and size of the ZnO nanorods, the GaN templates were patterned by e-beam lithography

Název v anglickém jazyce

Well-aligned ZnO nanorods grown directly on GaN substrates for optoelectronic applications

Popis výsledku anglicky

We report on the hydrothermal growth of ZnO nanorods directly on GaN templates with a different density of dislocations. The influence of the quality of the GaN substrate on morphological and optical properties of ZnO nanorods is presented. The morphology of the ZnO nanorods was investigated by scanning electron microscopy while the optical properties were studied by low temperature photoluminescence spectroscopy. To control the position and size of the ZnO nanorods, the GaN templates were patterned by e-beam lithography

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

11th Annual International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems, NEMS 2016

ISBN

978-1-5090-1948-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Sendai

Datum konání akce

17. 4. 2016

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000391893400040