Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Rare earth elements in semiconductors technology - Part I.

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F99%3A13000045" target="_blank" >RIV/67985882:_____/99:13000045 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Rare earth elements in semiconductors technology - Part I.

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This paper provides a review of the effect of the presence of some REE on the growth process and properties of InP-based compounds with aim of employing the peculiarities of the electron shell as well as high chemical reactivity of the REE to prepare materials of superior quality for applications. The impact of various REE elements is compared.

  • Název v anglickém jazyce

    Rare earth elements in semiconductors technology - Part I.

  • Popis výsledku anglicky

    This paper provides a review of the effect of the presence of some REE on the growth process and properties of InP-based compounds with aim of employing the peculiarities of the electron shell as well as high chemical reactivity of the REE to prepare materials of superior quality for applications. The impact of various REE elements is compared.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F99%2F0341" target="_blank" >GA102/99/0341: Vliv vzácných zemin na přípravu a vlastnosti polovodičových materiálů typu AIII BV</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    1999

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Proceedings of Advanced Materials and Devices for Optoelectronics.

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    7

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2

  • Stát vydavatele periodika

    CN - Čínská lidová republika

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus