Temperature dependence of electron hall concetration in n-type InP and n-type In 0.5 Ga 0.5 P.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F99%3A13990162" target="_blank" >RIV/67985882:_____/99:13990162 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Temperature dependence of electron hall concetration in n-type InP and n-type In 0.5 Ga 0.5 P.

Popis výsledku v původním jazyce

Original scientific paper dealing with Temperature dependence of electron hall concetration in n-type InP and n-type In 0.5 Ga 0.5 P.

Název v anglickém jazyce

Temperature dependence of electron hall concetration in n-type InP and n-type In 0.5 Ga 0.5 P.

Popis výsledku anglicky

Original scientific paper dealing with Temperature dependence of electron hall concetration in n-type InP and n-type In 0.5 Ga 0.5 P.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

1999

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings The Second Chinese-Czech Symposium Advenced Materials and Devices for Optoelectronics.

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

—

Název nakladatele

[Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences]

Místo vydání

Beijing

Místo konání akce

—

Datum konání akce

—

Typ akce podle státní příslušnosti

—

Kód UT WoS článku

—