Coherent Diffusion in InGaAsP Heterostructures.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081723%3A_____%2F01%3A07013158" target="_blank" >RIV/68081723:_____/01:07013158 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Coherent Diffusion in InGaAsP Heterostructures.

Popis výsledku v původním jazyce

The homogenization behaviour of semiconductor heterostructures at 710 deg. C was studied by X-ray diffraction and quantitative transmission electron microscopy. The thermodynamic properties of the quaternary system were modeled.

Název v anglickém jazyce

Coherent Diffusion in InGaAsP Heterostructures.

Popis výsledku anglicky

The homogenization behaviour of semiconductor heterostructures at 710 deg. C was studied by X-ray diffraction and quantitative transmission electron microscopy. The thermodynamic properties of the quaternary system were modeled.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2001

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Defect and Diffusion Forum - Diffusion in Materials

ISSN

1012-0386

e-ISSN

—

Svazek periodika

N/A

Číslo periodika v rámci svazku

N/A

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

767-772

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—