Diamond growth on silicon and WC-Co by microwave plasma chemical vapor deposition.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081723%3A_____%2F03%3A07033140" target="_blank" >RIV/68081723:_____/03:07033140 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Diamond growth on silicon and WC-Co by microwave plasma chemical vapor deposition.
Popis výsledku v původním jazyce
We studied the growth of microcrystalline diamond films on pre-treated Si and WC-Co substrates by microwave plasma chemical vapor deposition.We observed the interesting time dependence of the negative bias voltage during nucleation stage which is usefulfor nucleation process monitoring. The layers were analysed by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy and atomic force microscopy.
Název v anglickém jazyce
Diamond growth on silicon and WC-Co by microwave plasma chemical vapor deposition.
Popis výsledku anglicky
We studied the growth of microcrystalline diamond films on pre-treated Si and WC-Co substrates by microwave plasma chemical vapor deposition.We observed the interesting time dependence of the negative bias voltage during nucleation stage which is usefulfor nucleation process monitoring. The layers were analysed by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy and atomic force microscopy.

Projekt
<a href="/cs/project/IBS2041105" target="_blank" >IBS2041105: Povrchy a rozhraní v konstrukčních materiálech - aplikace moderních technologií a počítačového modelování</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)