Kritické ohodnocení zákonů pro multiplikaci dislokací v germaniu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081723%3A_____%2F06%3A00047211" target="_blank" >RIV/68081723:_____/06:00047211 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

A critical assessment of dislocation multiplication laws in germanium

Popis výsledku v původním jazyce

The issue concerning possible dislocation multiplication laws before the upper yield point of covalent materials is approached in <123> oriented Ge single crystals using the technique of stress relaxation and transient creep tests. Unlike in metals, relaxation tests exhibit a linear decrease of stress with time and inverse creep is observed. It is shown that these features are the signature of multiplication processes during the transient tests. Attempts at interpreting such particular behaviours are presented using three dislocation multiplication laws proposed in the literature for metals, for covalent crystals in general (based on etch-pit experiments) and for Si (based on computer simulations). The numerical reconstruction of the transient test curves shows that the last law is less satisfactory. This is explained by different stress exponents of the dislocation velocity, close to 1 in Si and to 2 in Ge.

Název v anglickém jazyce

A critical assessment of dislocation multiplication laws in germanium

Popis výsledku anglicky

The issue concerning possible dislocation multiplication laws before the upper yield point of covalent materials is approached in <123> oriented Ge single crystals using the technique of stress relaxation and transient creep tests. Unlike in metals, relaxation tests exhibit a linear decrease of stress with time and inverse creep is observed. It is shown that these features are the signature of multiplication processes during the transient tests. Attempts at interpreting such particular behaviours are presented using three dislocation multiplication laws proposed in the literature for metals, for covalent crystals in general (based on etch-pit experiments) and for Si (based on computer simulations). The numerical reconstruction of the transient test curves shows that the last law is less satisfactory. This is explained by different stress exponents of the dislocation velocity, close to 1 in Si and to 2 in Ge.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Acta Materialia

ISSN

1359-6454

e-ISSN

—

Svazek periodika

54

Číslo periodika v rámci svazku

18

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

4721-4729

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—