Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Kontrast dopantu jako interpretační problém při zobrazování elektrony

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F07%3A00082251" target="_blank" >RIV/68081731:_____/07:00082251 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Dopant Contrast in Semiconductors as Interpretation Challenge at Imaging by Electrons

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Mechanisms responsible for the contrast between differently doped areas in semiconductors, which is observed in electron micrographs, is discussed as regards the key factors determining the sign and magnitude of the contrast. Experimental data obtained by means of the scanning electron microscope (SEM), scanning low energy electron microscope and photoelectron emission microscope are reviewed together with hints following from them for compilation of a model of the contrast mechanism.

  • Název v anglickém jazyce

    Dopant Contrast in Semiconductors as Interpretation Challenge at Imaging by Electrons

  • Popis výsledku anglicky

    Mechanisms responsible for the contrast between differently doped areas in semiconductors, which is observed in electron micrographs, is discussed as regards the key factors determining the sign and magnitude of the contrast. Experimental data obtained by means of the scanning electron microscope (SEM), scanning low energy electron microscope and photoelectron emission microscope are reviewed together with hints following from them for compilation of a model of the contrast mechanism.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA202%2F04%2F0281" target="_blank" >GA202/04/0281: Mapování lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů při vysokém prostorovém rozlišení</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2007

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Materials Transactions

  • ISSN

    1345-9678

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    48

  • Číslo periodika v rámci svazku

    5

  • Stát vydavatele periodika

    JP - Japonsko

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    936-939

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus