Úzkospektrální výkonový laser na bázi pole laserových diod

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F07%3A00094694" target="_blank" >RIV/68081731:_____/07:00094694 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Úzkospektrální výkonový laser na bázi pole laserových diod

Popis výsledku v původním jazyce

Kompaktní výkonový polovodičový laser s možností ladění a stabilizace vlnové délky, jehož základem je výkonové pole laserových diod. Emisní spektrum pole je zúženo pomocí Ti:Sa laseru metodou injection locking. Navržen pro použití jako zdroj laserového záření v systému pro produkci polarizovaného xenonu.

Název v anglickém jazyce

Narrow-band high-power laser based on laser diode array

Popis výsledku anglicky

Compact high-power semiconductor tunable laser based on high-power laser diode array. The array emission spectrum is reduced with Ti:Sa laser by injection locking technique. Designed to operate as a laser source in a system for hyperpolarized xenon production.

Druh

X - Nezařazeno

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů