Orientation of Grains in the Al-Mg-Si-Mn Alloy by Scanning Low Energy Electron Microscopy
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F09%3A00335297" target="_blank" >RIV/68081731:_____/09:00335297 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Orientation of Grains in the Al-Mg-Si-Mn Alloy by Scanning Low Energy Electron Microscopy
Popis výsledku v původním jazyce
Electron Backscatter Diffraction (EBSD) is a technique allowing the crystallographic infomiation to be obtained from samples in the scanning electron microscope (SEM). The main disadvantages of this method include the specimen tilt by 70°, requiring to operate at large working distances and hence with reduced lateral resolution, and a long acquisition time needed to obtain the full infomnation about grain orientations. However, the crystal orientation can be recognized upon energy dependence of the electron reflectance in the very low energy range. Information can be acquired at a high lateral resolution, high contrast and short acquisition time in a dedicated SEM equipped by the cathode lens.
Název v anglickém jazyce
Orientation of Grains in the Al-Mg-Si-Mn Alloy by Scanning Low Energy Electron Microscopy
Popis výsledku anglicky
Electron Backscatter Diffraction (EBSD) is a technique allowing the crystallographic infomiation to be obtained from samples in the scanning electron microscope (SEM). The main disadvantages of this method include the specimen tilt by 70°, requiring to operate at large working distances and hence with reduced lateral resolution, and a long acquisition time needed to obtain the full infomnation about grain orientations. However, the crystal orientation can be recognized upon energy dependence of the electron reflectance in the very low energy range. Information can be acquired at a high lateral resolution, high contrast and short acquisition time in a dedicated SEM equipped by the cathode lens.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 4th Czech-Japan-China Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology (CJCS?09)
ISBN
978-80-254-4535-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
1
Strana od-do
—
Název nakladatele
ISI AS CR
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
10. 8. 2009
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—