Influence of the clusters on the Bi LMIS properties

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F11%3A00358593" target="_blank" >RIV/68081731:_____/11:00358593 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2011.01.054" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2011.01.054</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2011.01.054" target="_blank" >10.1016/j.nima.2011.01.054</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Influence of the clusters on the Bi LMIS properties
Popis výsledku v původním jazyce
Bismuth ion beams consist of several ion clusters with comparable currents, which influences the energy spread and brightness of the source. We present a simulation of the beam near the Bi LMIS including the effect of the discrete Coulomb interactions and cluster structure of the beam. We also compare the results of the simulations with experimental data measured on the source used in a Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) machine.
Název v anglickém jazyce
Influence of the clusters on the Bi LMIS properties
Popis výsledku anglicky
Bismuth ion beams consist of several ion clusters with comparable currents, which influences the energy spread and brightness of the source. We present a simulation of the beam near the Bi LMIS including the effect of the discrete Coulomb interactions and cluster structure of the beam. We also compare the results of the simulations with experimental data measured on the source used in a Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) machine.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)