Nano modifikace hrotu W(100)/ZrO elektronového emitéru reaktivním iontovým leptáním
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F12%3A00385754" target="_blank" >RIV/68081731:_____/12:00385754 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Nano modifikace hrotu W(100)/ZrO elektronového emitéru reaktivním iontovým leptáním
Popis výsledku v původním jazyce
Hroty pro katody W(100)/ZrO jsou připravovány z monokrystalického wolframového drátku o průměru 125 .mu.m elektrochemickým anodickým leptáním. Pro přípravu katod pro elektronový litograf s tvarovaným svazkem je žádoucí, aby vyleptaný hrot měl poloměr kolem 100 nm. I když je proces anodického leptání kontrolován a řízen speciálním software pomocí počítače, nelze ve všech případech zajistit požadovanou geometrii hrotu po leptám. Opravné anodické leptání již vyleptaného hrotu není z principu samotné technologie leptání možné. V tomto příspěvku uvádíme výsledky studia možností modifikace (opracování) wolframových hrotů v nanorozměrech řízeným plazmatickým leptáním (RIE) ve směsi CF4 + O2 v zařízení s reaktorem barelového typu při buzení plazmatu při frekvenci 13,56 MHz a pracovním tlaku 1000 Pa. Změna geometrie hrotů po plazmatickém leptání je kontrolována rastrovacím elektronovým mikroskopem (REM) vysokého rozlišení V příspěvku jsou uvedeny i výsledky vlivu opracování hrotů hotových aktiv
Název v anglickém jazyce
Nano Modification of the W(100)/ZrO Electron Emitter Tip Using Reactive Ion Etching
Popis výsledku anglicky
The W(100)/ZrO electron emitter tip is typically prepared from a tungsten single-crystal shaft of a diameter of 125 ?m using electrochemical anodic etching. In order to prepare an emitter for e-beam writer with a shaped beam it is desirable to etch the tip with a radius around 100 nm. Despite the anodic etching is precisely controlled using dedicated software, the desired final form shape of the emitter tip is not achieved in every case. The correcting anodic etching is not possible due to the technology principle of the etching itself. We present in this contribution the procedure that modifies/repairs the tungsten tip shape in a nanoscale region using a reactive ion etching (RIE) in CF4 + O2 gaseous mix in a barrel type reactor at the radio frequencyof 13,56 MHz and the working pressure of 1000 Pa. The change of the geometry after the RIE process is checked using a high resolution scanning electron microscope. The influence of the tip modification of the activated thermal-field W(10
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Jemná mechanika a optika
ISSN
0447-6441
e-ISSN
—
Svazek periodika
57
Číslo periodika v rámci svazku
10
Stát vydavatele periodika
CZ - Česká republika
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
278-280
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—