Electrostatic screening in integral quantum Hall regime.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F01%3A02010475" target="_blank" >RIV/68378271:_____/01:02010475 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electrostatic screening in integral quantum Hall regime.
Popis výsledku v původním jazyce
Results obtained by the electric field penetration method are analysed. In the integral quantum Hall effect regime a topological phase transition takes place which is due to the intrinsic disorder of dopants in the source layer in the vicinity of the quantum well.
Název v anglickém jazyce
Electrostatic screening in integral quantum Hall regime.
Popis výsledku anglicky
Results obtained by the electric field penetration method are analysed. In the integral quantum Hall effect regime a topological phase transition takes place which is due to the intrinsic disorder of dopants in the source layer in the vicinity of the quantum well.

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors.
ISBN
3-540-41778-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
1005-1006
Název nakladatele
Springer
Místo vydání
Berlin
Místo konání akce
Osaka [JP]
Datum konání akce
19. 9. 2000
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)