Magneto-photoluminescence study of electronic transitions in InAs/GaAS quantum dot layers.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F02%3A02020005" target="_blank" >RIV/68378271:_____/02:02020005 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Magneto-photoluminescence study of electronic transitions in InAs/GaAS quantum dot layers.
Popis výsledku v původním jazyce
Magneto-luminescence of single- and multi-layered self-organised MOCVD grown InAs quantum dots in GaAs has been investigated at 77 k in magnetic fields up to B= 27 T in Faraday configuration.
Název v anglickém jazyce
Magneto-photoluminescence study of electronic transitions in InAs/GaAS quantum dot layers.
Popis výsledku anglicky
Magneto-luminescence of single- and multi-layered self-organised MOCVD grown InAs quantum dots in GaAs has been investigated at 77 k in magnetic fields up to B= 27 T in Faraday configuration.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku