Transport mechanism and spectral characteristics of GaSb/GaAs heterostructures prepared by MOVPE.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F02%3A02020370" target="_blank" >RIV/68378271:_____/02:02020370 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Transport mechanism and spectral characteristics of GaSb/GaAs heterostructures prepared by MOVPE.
Popis výsledku v původním jazyce
The purpose of our work was the evaluation of GaSb/GaAs heterostructures grown on GaAs substrateas for the thermovoltaics.heterojunctions p-GaSb/n-GaAs with p-layer prepared by MOVPE method at growth temperatures from 500 to 560 o C were investigated. Our results show that p-GaSb/n-GaAs heterojunctions prepared by this MOVPE method are not enough suitable for use in TPV.
Název v anglickém jazyce
Transport mechanism and spectral characteristics of GaSb/GaAs heterostructures prepared by MOVPE.
Popis výsledku anglicky
The purpose of our work was the evaluation of GaSb/GaAs heterostructures grown on GaAs substrateas for the thermovoltaics.heterojunctions p-GaSb/n-GaAs with p-layer prepared by MOVPE method at growth temperatures from 500 to 560 o C were investigated. Our results show that p-GaSb/n-GaAs heterojunctions prepared by this MOVPE method are not enough suitable for use in TPV.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F99%2F0414" target="_blank" >GA102/99/0414: Materiály a struktury pro elektronické a optoelektronické součástky připravované metodou MOVPE</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)