Defekty v GaSb vyvolané rychlostí růstu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00104217" target="_blank" >RIV/68378271:_____/04:00104217 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Growth-rate induced defects in GaSb

Popis výsledku v původním jazyce

Deep level transient spectroscopy measurement was carried out on GaSb p-n homojunctions grown by MOVPE. The samples prepared at high growth rate exhibit a broad minority carrier peak in DLTS spectra due to high concentration of native defects

Název v anglickém jazyce

Growth-rate induced defects in GaSb

Popis výsledku anglicky

Deep level transient spectroscopy measurement was carried out on GaSb p-n homojunctions grown by MOVPE. The samples prepared at high growth rate exhibit a broad minority carrier peak in DLTS spectra due to high concentration of native defects

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

ASDAM 2004

ISBN

0-7803-8535-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

259-262

Název nakladatele

IEEE Operation Center

Místo vydání

Piscataway, N.J.

Místo konání akce

Smolenice Castle

Datum konání akce

17. 10. 2004

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—