Model elektronického transportu v mikrokrystalickém křemíku a jeho použití pro předpověď funkčnosti elektronických prvků

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00107342" target="_blank" >RIV/68378271:_____/04:00107342 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/49610040:_____/05:00000033

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Model of electronic transport in microcrystalline silicon and its use for prediction of device performance

Popis výsledku v původním jazyce

Changes in the growth of thin silicon films at very low substrate temperatures (35oC < Ts < 100oC) near the a-Si:H/?c-S:H transition region and role of hydrogen content

Název v anglickém jazyce

Model of electronic transport in microcrystalline silicon and its use for prediction of device performance

Popis výsledku anglicky

Changes in the growth of thin silicon films at very low substrate temperatures (35oC < Ts < 100oC) near the a-Si:H/?c-S:H transition region and role of hydrogen content

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Non-Crystalline Solids

ISSN

0022-3093

e-ISSN

—

Svazek periodika

338-340

Číslo periodika v rámci svazku

-

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

303-309

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—