Efekt pasivace vodíkem na polykrystalické křemíkové tenké vrstvy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F05%3A00028425" target="_blank" >RIV/68378271:_____/05:00028425 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Effect of hydrogen passivation on polycrystalline silicon thin films

Popis výsledku v původním jazyce

We have observed that remote plasma hydrogenation with duration up to 30 min. effectively passivated the defects and improved the Hall mobility, trap density and hydrogenation not only pasivated defects but also created new defects in the grain

Název v anglickém jazyce

Effect of hydrogen passivation on polycrystalline silicon thin films

Popis výsledku anglicky

We have observed that remote plasma hydrogenation with duration up to 30 min. effectively passivated the defects and improved the Hall mobility, trap density and hydrogenation not only pasivated defects but also created new defects in the grain

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

487

Číslo periodika v rámci svazku

-

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

152-156

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—