Hluboké defekty určující transport v GaSb připraveném metodou MOVPE

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00040009" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00040009 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216208:11320/06:00003029

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Transport-controlling deep defects in MOVPE grown GaSb

Popis výsledku v původním jazyce

Deep level transient spectroscopy was used to directly observe growth-rate induced defects in MOVPE grown GaSb layers

Název v anglickém jazyce

Transport-controlling deep defects in MOVPE grown GaSb

Popis výsledku anglicky

Deep level transient spectroscopy was used to directly observe growth-rate induced defects in MOVPE grown GaSb layers

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Semiconductor Science and Technology

ISSN

0268-1242

e-ISSN

—

Svazek periodika

21

Číslo periodika v rámci svazku

-

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

180-183

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—