Povrchové stavy elektronů v supermřížkách s krátkou periodou (GaAs)2/(AlAs)2(100)-c(4x4)

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00047689" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00047689 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electron surface states in short-period superlattices: (GaAs)2/(AlAs)2(100)-c(4x4)
Popis výsledku v původním jazyce
The electronic structure of (GaAs)2/(AlAs)2(100)-c(4x4) superlattice surfaces was studied by means of angular-resolved photoelectron spectroscopy ( ARUPS) in the photon energy range 20-38 eV. An intensive surface state was, for the first time, observed below the top of the valence band
Název v anglickém jazyce
Electron surface states in short-period superlattices: (GaAs)2/(AlAs)2(100)-c(4x4)
Popis výsledku anglicky
The electronic structure of (GaAs)2/(AlAs)2(100)-c(4x4) superlattice surfaces was studied by means of angular-resolved photoelectron spectroscopy ( ARUPS) in the photon energy range 20-38 eV. An intensive surface state was, for the first time, observed below the top of the valence band

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/IAA1010108" target="_blank" >IAA1010108: Elektronová spektroskopie povrchů epitaxních polovodičových nanosystémů na bázi GaAs</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)