Implantace iontů indukovaná ablací Cu při velkých tocích laserové energie

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00054525" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00054525 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Ion implantation induced by Cu ablation at high laser fluence
Popis výsledku v původním jazyce
High energy laser plasma-produced Cu ions have been omplanted in silicon substrates placed at different distances and angles with respect to the normal to the surface of the ablated target
Název v anglickém jazyce
Ion implantation induced by Cu ablation at high laser fluence
Popis výsledku anglicky
High energy laser plasma-produced Cu ions have been omplanted in silicon substrates placed at different distances and angles with respect to the normal to the surface of the ablated target

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/LC528" target="_blank" >LC528: Centrum laserového plazmatu</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku