Ultrarychlý opto-terahertzový modulátor na bázi fotonických krystalů

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F07%3A00085102" target="_blank" >RIV/68378271:_____/07:00085102 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Ultrafast opto-terahertz photonic crystal modulator
Popis výsledku v původním jazyce
We present an agile optically controlled switch or modulator of terahertz (THz) radiation. The element is based on a one-dimensional photonic crystal with a GaAs wafer inserted in the middle as a defect layer. Excitation of this layer by ultrashort laserpulses leads to an efficient modulation of the THz beam even at low photocarrier concentrations. The response time of the element is about 130 ps
Název v anglickém jazyce
Ultrafast opto-terahertz photonic crystal modulator
Popis výsledku anglicky
We present an agile optically controlled switch or modulator of terahertz (THz) radiation. The element is based on a one-dimensional photonic crystal with a GaAs wafer inserted in the middle as a defect layer. Excitation of this layer by ultrashort laserpulses leads to an efficient modulation of the THz beam even at low photocarrier concentrations. The response time of the element is about 130 ps

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)