Litograficky a elektricky ovladane vlivy mechanickych deformaci na AMR v (Ga,Mn)As

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00312859" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00312859 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Lithographically and electrically controlled strain effects on AMR in (Ga,Mn)As
Popis výsledku v původním jazyce
We demonstrate experimentally that lithographically or electrically induced strain variations can produce crystalline AMR components which are larger than the crystalline AMR and a significant fraction of the total AMR of the unprocessed (Ga,Mn)As material. Complete phenomenological AMR expressions are derived and new higher order terms are reported in experiments.
Název v anglickém jazyce
Lithographically and electrically controlled strain effects on AMR in (Ga,Mn)As
Popis výsledku anglicky
We demonstrate experimentally that lithographically or electrically induced strain variations can produce crystalline AMR components which are larger than the crystalline AMR and a significant fraction of the total AMR of the unprocessed (Ga,Mn)As material. Complete phenomenological AMR expressions are derived and new higher order terms are reported in experiments.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)