Teraherzová emise z tabulárních nanostruktur Pb(Zr,Ti)O3.
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00319825" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00319825 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Terahertz emmision from tubular Pb(Zr,Ti)O3 nanostructures
Popis výsledku v původním jazyce
We report intense THz emission from lead zirconate-titanate (PZT) nanotube arrays, which is totally absent in flat films or bulk; hence the effect is due to the nano-scale geometry of the films, which are 40 nm thick on n-Si substrates. The THz radiationis emitted within 0.2 ps, and the spectrum exhibits a broad peak from 2 to 8 THz. This is a gap in the frequency spectrum of semiconductor THz devices, such as ZnTe and an order of magnitude higher frequency peak than that in the well-studied p-InAs, due to the abnormally large carrier concentration gradient in PZT; the inferred mechanism is optical rectification within a surface accumulation layer, rather than the Dember effect. THz reflectivity is also characterized. The THz emission is optically pumped, but since the tubes exhibit ferroelectric switching, electrically driven emission may also be possible. EPR reveals O2 molecules adsorbed onto the nanotubes, which may play some role in the emission.
Název v anglickém jazyce
Terahertz emmision from tubular Pb(Zr,Ti)O3 nanostructures
Popis výsledku anglicky
We report intense THz emission from lead zirconate-titanate (PZT) nanotube arrays, which is totally absent in flat films or bulk; hence the effect is due to the nano-scale geometry of the films, which are 40 nm thick on n-Si substrates. The THz radiationis emitted within 0.2 ps, and the spectrum exhibits a broad peak from 2 to 8 THz. This is a gap in the frequency spectrum of semiconductor THz devices, such as ZnTe and an order of magnitude higher frequency peak than that in the well-studied p-InAs, due to the abnormally large carrier concentration gradient in PZT; the inferred mechanism is optical rectification within a surface accumulation layer, rather than the Dember effect. THz reflectivity is also characterized. The THz emission is optically pumped, but since the tubes exhibit ferroelectric switching, electrically driven emission may also be possible. EPR reveals O2 molecules adsorbed onto the nanotubes, which may play some role in the emission.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nano Letters
ISSN
1530-6984
e-ISSN
—
Svazek periodika
8
Číslo periodika v rámci svazku
12
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000261630700055
EID výsledku v databázi Scopus
—