Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Teraherzová emise z tabulárních nanostruktur Pb(Zr,Ti)O3.

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00319825" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00319825 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Terahertz emmision from tubular Pb(Zr,Ti)O3 nanostructures

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We report intense THz emission from lead zirconate-titanate (PZT) nanotube arrays, which is totally absent in flat films or bulk; hence the effect is due to the nano-scale geometry of the films, which are 40 nm thick on n-Si substrates. The THz radiationis emitted within 0.2 ps, and the spectrum exhibits a broad peak from 2 to 8 THz. This is a gap in the frequency spectrum of semiconductor THz devices, such as ZnTe and an order of magnitude higher frequency peak than that in the well-studied p-InAs, due to the abnormally large carrier concentration gradient in PZT; the inferred mechanism is optical rectification within a surface accumulation layer, rather than the Dember effect. THz reflectivity is also characterized. The THz emission is optically pumped, but since the tubes exhibit ferroelectric switching, electrically driven emission may also be possible. EPR reveals O2 molecules adsorbed onto the nanotubes, which may play some role in the emission.

  • Název v anglickém jazyce

    Terahertz emmision from tubular Pb(Zr,Ti)O3 nanostructures

  • Popis výsledku anglicky

    We report intense THz emission from lead zirconate-titanate (PZT) nanotube arrays, which is totally absent in flat films or bulk; hence the effect is due to the nano-scale geometry of the films, which are 40 nm thick on n-Si substrates. The THz radiationis emitted within 0.2 ps, and the spectrum exhibits a broad peak from 2 to 8 THz. This is a gap in the frequency spectrum of semiconductor THz devices, such as ZnTe and an order of magnitude higher frequency peak than that in the well-studied p-InAs, due to the abnormally large carrier concentration gradient in PZT; the inferred mechanism is optical rectification within a surface accumulation layer, rather than the Dember effect. THz reflectivity is also characterized. The THz emission is optically pumped, but since the tubes exhibit ferroelectric switching, electrically driven emission may also be possible. EPR reveals O2 molecules adsorbed onto the nanotubes, which may play some role in the emission.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Nano Letters

  • ISSN

    1530-6984

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    8

  • Číslo periodika v rámci svazku

    12

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000261630700055

  • EID výsledku v databázi Scopus