Ultrafast photoluminescence spectroscopy of InAs/GaAs quantum dots

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00330529" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00330529 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Ultrafast photoluminescence spectroscopy of InAs/GaAs quantum dots
Popis výsledku v původním jazyce
We used ultrafast PL spectroscopy to study the carrier dynamics in the energy of states of the double layer InAs/GaAs QD structure with large spacer distance (30 nm) emitting at 1.3 ?m at room temperature.
Název v anglickém jazyce
Ultrafast photoluminescence spectroscopy of InAs/GaAs quantum dots
Popis výsledku anglicky
We used ultrafast PL spectroscopy to study the carrier dynamics in the energy of states of the double layer InAs/GaAs QD structure with large spacer distance (30 nm) emitting at 1.3 ?m at room temperature.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA202%2F06%2F0718" target="_blank" >GA202/06/0718: Inženýrství kvantových teček</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku