Time-resolved photoluminescence spectroscopy of the initial oxidation
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00331693" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00331693 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Time-resolved photoluminescence spectroscopy of the initial oxidation
Popis výsledku v původním jazyce
In this paper we study the influence of progressing oxidation on the photoluminescence spectra of small silicon nanocrystals (SiNCs). H-terminated SiNCs exhibit only a fast approximately nanosecond photoluminescence component at about 525 nm, quenched and redshifted to about 550 nm by progressing oxidation. At the same time a new approximately microsecond photoluminescence component appears, intensity of which progressively increases and its peak position redshifts continuously from 575 up to 660 nm. Weinterpret our observations in terms of the quasidirect core electron-hole pair recombination quenched by the ultrafast trapping into the oxygen-related surface/interface states, forming within the band gap due to oxidation.
Název v anglickém jazyce
Time-resolved photoluminescence spectroscopy of the initial oxidation
Popis výsledku anglicky
In this paper we study the influence of progressing oxidation on the photoluminescence spectra of small silicon nanocrystals (SiNCs). H-terminated SiNCs exhibit only a fast approximately nanosecond photoluminescence component at about 525 nm, quenched and redshifted to about 550 nm by progressing oxidation. At the same time a new approximately microsecond photoluminescence component appears, intensity of which progressively increases and its peak position redshifts continuously from 575 up to 660 nm. Weinterpret our observations in terms of the quasidirect core electron-hole pair recombination quenched by the ultrafast trapping into the oxygen-related surface/interface states, forming within the band gap due to oxidation.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
e-ISSN
—
Svazek periodika
94
Číslo periodika v rámci svazku
21
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000266500400014
EID výsledku v databázi Scopus
—