Time-resolved measurements of optical gain and photoluminescence in silicon nanocrystals

Kód výsledku v IS VaVaI

RIV/68378271:_____/09:00332027 - isvavai.cz

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Time-resolved measurements of optical gain and photoluminescence in silicon nanocrystals

Popis výsledku v původním jazyce

We performed time-resolved photoluminescence and optical gain spectroscopy in small Si-ncs (core diameter of 2-3 nm) embedded at very high densities in an SiO2 based sol-gel matrix. Optical gain was studied separately from both observed emission components - the F-band peaking at 430 nm, decaying in ns scale and the S-band at 620 nm, decaying in microsecond scale.

Název v anglickém jazyce

Time-resolved measurements of optical gain and photoluminescence in silicon nanocrystals

Popis výsledku anglicky

We performed time-resolved photoluminescence and optical gain spectroscopy in small Si-ncs (core diameter of 2-3 nm) embedded at very high densities in an SiO2 based sol-gel matrix. Optical gain was studied separately from both observed emission components - the F-band peaking at 430 nm, decaying in ns scale and the S-band at 620 nm, decaying in microsecond scale.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů