Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00336403" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00336403 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs
Popis výsledku v původním jazyce
Dramatic increase of the substrate temperature during the epitaxial growth of GaMnAs has been observed and explained in terms of radiative heating via free carrier absorption.
Název v anglickém jazyce
Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs
Popis výsledku anglicky
Dramatic increase of the substrate temperature during the epitaxial growth of GaMnAs has been observed and explained in terms of radiative heating via free carrier absorption.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku