Scintillation properties of LuAG:Ce single crystalline films grown by LPE method

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00337872" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00337872 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Scintillation properties of LuAG:Ce single crystalline films grown by LPE method

Popis výsledku v původním jazyce

LuAG:Ce scintillator thin films were grown by liquid phase epitaxy using two types of flux: PbO-B2O3 and BaO-B2O3-BaF2. Films have been compared in terms of photoelectron yield, its time dependence and FWHM. Experimental setup: hybrid photomultiplier, NIM elektronics and alpha-particle source.

Název v anglickém jazyce

Scintillation properties of LuAG:Ce single crystalline films grown by LPE method

Popis výsledku anglicky

LuAG:Ce scintillator thin films were grown by liquid phase epitaxy using two types of flux: PbO-B2O3 and BaO-B2O3-BaF2. Films have been compared in terms of photoelectron yield, its time dependence and FWHM. Experimental setup: hybrid photomultiplier, NIM elektronics and alpha-particle source.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F08%2F0893" target="_blank" >GA202/08/0893: Nové materiály a technologie pro přípravu tenkovrstvých scintilátorů</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů