Direct growth of nanocrystalline diamond field-effect transistor microstructures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00338150" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00338150 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Direct growth of nanocrystalline diamond field-effect transistor microstructures

Popis výsledku v původním jazyce

Nanocrystalline diamond structures are grown by microwave plasma CVD technique on SiO2/Si substrates patterned by polymer. The diamond microstructures exhibit good transistor characteristics.

Název v anglickém jazyce

Direct growth of nanocrystalline diamond field-effect transistor microstructures

Popis výsledku anglicky

Nanocrystalline diamond structures are grown by microwave plasma CVD technique on SiO2/Si substrates patterned by polymer. The diamond microstructures exhibit good transistor characteristics.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů