Bravais lattice diversity of III-V semiconductors: A comparative study of GaSb(001) and GaAs(001) surface reconstructions

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00338241" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00338241 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Bravais lattice diversity of III-V semiconductors: A comparative study of GaSb(001) and GaAs(001) surface reconstructions

Popis výsledku v původním jazyce

Lattice distortion of the (4x3) reconstruction family of GaSb(001) is compared to the GaAs(001) beta-(2x4) and c(4x4) reconstructions. Low energy differences would allow for the existence of phase shifted reconstruction regions on short distances which explains, for instance, the thermodynamic stability of the GaSb(001) (4x3) reconstructions, predicted by DFT and observed by STM.

Název v anglickém jazyce

Bravais lattice diversity of III-V semiconductors: A comparative study of GaSb(001) and GaAs(001) surface reconstructions

Popis výsledku anglicky

Lattice distortion of the (4x3) reconstruction family of GaSb(001) is compared to the GaAs(001) beta-(2x4) and c(4x4) reconstructions. Low energy differences would allow for the existence of phase shifted reconstruction regions on short distances which explains, for instance, the thermodynamic stability of the GaSb(001) (4x3) reconstructions, predicted by DFT and observed by STM.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/IAA100100628" target="_blank" >IAA100100628: Úniková hloubka elektronů z krystalických povrchů</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů