Electronic structure effects on B K-edge XANES of minerals

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00348485" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00348485 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electronic structure effects on B K-edge XANES of minerals
Popis výsledku v původním jazyce
In order to assess the usability of X-ray absorption near-edge structure (XANES) for studying the structure of BOn-containing materials, the dependence of theoretical XANES at the B K-edge on the way the scattering potential is constructed is investigated.
Název v anglickém jazyce
Electronic structure effects on B K-edge XANES of minerals
Popis výsledku anglicky
In order to assess the usability of X-ray absorption near-edge structure (XANES) for studying the structure of BOn-containing materials, the dependence of theoretical XANES at the B K-edge on the way the scattering potential is constructed is investigated.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA202%2F08%2F0106" target="_blank" >GA202/08/0106: Magnetismus a spektroskopie nanostruktur z prvních principů</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)