Anomalous charge current transport in semi-insulatingGaAs with a new contact metallization: Influence of 2DEG formed at the M-S interface

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00349319" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00349319 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Anomalous charge current transport in semi-insulatingGaAs with a new contact metallization: Influence of 2DEG formed at the M-S interface
Popis výsledku v původním jazyce
Radiation detector structures made of semiinsulating GaAs were prepared with a new kind of low-work function metallization. I-V curves were measured in different geometries of both top and bottom contacts. Anomalous decrease of the reverse current observed for Mg and Gd contacts is discussed.
Název v anglickém jazyce
Anomalous charge current transport in semi-insulatingGaAs with a new contact metallization: Influence of 2DEG formed at the M-S interface
Popis výsledku anglicky
Radiation detector structures made of semiinsulating GaAs were prepared with a new kind of low-work function metallization. I-V curves were measured in different geometries of both top and bottom contacts. Anomalous decrease of the reverse current observed for Mg and Gd contacts is discussed.

Projekt
<a href="/cs/project/GA202%2F07%2F0525" target="_blank" >GA202/07/0525: Hluboké defekty v polovodičích pro optoelektronické aplikace</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)