Influence of thickness on properties of YbxCo4Sb12 layers prepared by laser ablation

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00350340" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00350340 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/67985882:_____/10:00350340 RIV/61389013:_____/10:00350340 RIV/68407700:21460/10:00168905

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Influence of thickness on properties of YbxCo4Sb12 layers prepared by laser ablation

Popis výsledku v původním jazyce

The influence of thickness on the thermoelectric properties of YbxCo4Sb12 layers prepared prepared by pulse laser deposition at substrate temperature during the deposition Ts=250 °C with energy density Ds=3 J/cm2. The thermoelectric properties such as the Seebeck coefficient, the electrical resistivity and the power factor of thin layers are presented in the temperature range from 300 K to 500 K and shoved oscillatory behavior with period of about 10 nm.

Název v anglickém jazyce

Influence of thickness on properties of YbxCo4Sb12 layers prepared by laser ablation

Popis výsledku anglicky

The influence of thickness on the thermoelectric properties of YbxCo4Sb12 layers prepared prepared by pulse laser deposition at substrate temperature during the deposition Ts=250 °C with energy density Ds=3 J/cm2. The thermoelectric properties such as the Seebeck coefficient, the electrical resistivity and the power factor of thin layers are presented in the temperature range from 300 K to 500 K and shoved oscillatory behavior with period of about 10 nm.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA203%2F07%2F0267" target="_blank" >GA203/07/0267: Ternární skutterudity pro termoelektrické aplikace: od objemových vzorků k tenkým filmům</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

ISSN

1454-4164

e-ISSN

—

Svazek periodika

12

Číslo periodika v rámci svazku

3

Stát vydavatele periodika

RO - Rumunsko

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000277827900031

EID výsledku v databázi Scopus

—