Detection of stacking faults breaking the [110]/[1-10] symmetry in ferromagnetic semiconductors (Ga,Mn)As and (Ga,Mn)(As,P)

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00364316" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00364316 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.235324" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.235324</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.235324" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.83.235324</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Detection of stacking faults breaking the [110]/[1-10] symmetry in ferromagnetic semiconductors (Ga,Mn)As and (Ga,Mn)(As,P)
Popis výsledku v původním jazyce
We report high resolution x-ray diffraction measurements of (Ga,Mn)As and (Ga,Mn)(As,P) epilayers. We observe a structural anisotropy in the form of stacking faults which are present in the (111) and (11-1) planes and absent in the (-111) and (1-11) planes.
Název v anglickém jazyce
Detection of stacking faults breaking the [110]/[1-10] symmetry in ferromagnetic semiconductors (Ga,Mn)As and (Ga,Mn)(As,P)
Popis výsledku anglicky
We report high resolution x-ray diffraction measurements of (Ga,Mn)As and (Ga,Mn)(As,P) epilayers. We observe a structural anisotropy in the form of stacking faults which are present in the (111) and (11-1) planes and absent in the (-111) and (1-11) planes.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)