Crystal growth of Ce doped (Lu,Y)3(Ga,Al)5O12 single crystal by the micro-puling-down method and their scintillation properties

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00389313" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00389313 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2012.2184141" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2012.2184141</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2012.2184141" target="_blank" >10.1109/TNS.2012.2184141</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Crystal growth of Ce doped (Lu,Y)3(Ga,Al)5O12 single crystal by the micro-puling-down method and their scintillation properties

Popis výsledku v původním jazyce

Ce-doped (Lu,Y)3(Ga,Al)5O12 single crystals were grown by the -PD method with RF heating system. In these crystals, 4f-5d emission is observed within 500-530 nm wavelength. Emission peak shifts to shorter wavelength and the decay accelerates with increasing Ga concentration. In the case of Ce:Lu2Y1(Ga,Al)5O12 series,the Ce0.2% Lu2Y1Ga3Al2O12 crystal showed the highest emission intensity. In order to determine light yield, the energy spectra were measured under 662 keV alpha-ray excitation and detectionby an APD S8664-55(Hamamatsu). The light yield of Ce0.2%: Lu2Y1Ga3Al2O12sample was of about 30,000 photon/MeV. Dominant scintillation decay time was of about 50 ns.

Název v anglickém jazyce

Crystal growth of Ce doped (Lu,Y)3(Ga,Al)5O12 single crystal by the micro-puling-down method and their scintillation properties

Popis výsledku anglicky

Ce-doped (Lu,Y)3(Ga,Al)5O12 single crystals were grown by the -PD method with RF heating system. In these crystals, 4f-5d emission is observed within 500-530 nm wavelength. Emission peak shifts to shorter wavelength and the decay accelerates with increasing Ga concentration. In the case of Ce:Lu2Y1(Ga,Al)5O12 series,the Ce0.2% Lu2Y1Ga3Al2O12 crystal showed the highest emission intensity. In order to determine light yield, the energy spectra were measured under 662 keV alpha-ray excitation and detectionby an APD S8664-55(Hamamatsu). The light yield of Ce0.2%: Lu2Y1Ga3Al2O12sample was of about 30,000 photon/MeV. Dominant scintillation decay time was of about 50 ns.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F08%2F0893" target="_blank" >GA202/08/0893: Nové materiály a technologie pro přípravu tenkovrstvých scintilátorů</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

IEEE Transactions on Nuclear Science

ISSN

0018-9499

e-ISSN

—

Svazek periodika

59

Číslo periodika v rámci svazku

5

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

2116-2119

Kód UT WoS článku

000310143300016

EID výsledku v databázi Scopus

—